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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno 40% latenza inferiore
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
14900
Intorno 1.72 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
42
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
25600
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2696
2595
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Confronto tra le RAM
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Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Confronto tra le RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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