Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Punteggio complessivo
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Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 42
    Intorno 40% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 15.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.5 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 14900
    Intorno 1.72 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.4 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.3 left arrow 11.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2696 left arrow 2595
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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