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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
2595
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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