RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2696
2595
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link