Confronto tra le RAM Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 43

Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.5 10.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.4 6.9

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1647 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns