RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
6.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.5
Скорость записи, Гб/сек
6.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
1919
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link