RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
58
Intorno -152% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
23
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
3236
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link