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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Confronto
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
48
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
15.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
48
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2468
2196
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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