RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
48
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2468
2196
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link