RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
51
Intorno -11% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
46
Velocità di lettura, GB/s
15.6
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2396
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link