RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около -11% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2396
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link