RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около -11% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2396
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link