RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
51
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
35
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2767
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link