RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB vs Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
25
41
Velocità di lettura, GB/s
15.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2415
2142
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link