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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3559
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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