RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3559
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link