RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3559
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link