RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
92
Intorno -156% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
36
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2938
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link