RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
92
Intorno -197% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
31
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3168
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link