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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
92
Intorno -254% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
26
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2808
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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