RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
92
Intorno -283% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
24
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3001
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link