RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
92
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
38
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2663
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link