RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
92
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
34
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2791
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link