RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
92
Intorno -207% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
30
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3834
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link