RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
92
Intorno -254% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
26
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3825
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link