RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
92
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
35
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2923
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link