RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
92
Intorno -338% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
21
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3507
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link