RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
92
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
32
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2714
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link