RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
92
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
34
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3288
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link