RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
92
Intorno -179% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
33
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2284
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link