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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
92
Intorno -197% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
31
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3649
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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