RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
92
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
29
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2609
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link