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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
INTENSO M418039 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO M418039 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
39
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
INTENSO M418039 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
20
Velocità di lettura, GB/s
13.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2431
2414
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
INTENSO M418039 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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