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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
24
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2852
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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