RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2852
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre 0000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link