RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2605
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link