RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2605
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link