RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
54
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
33
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3671
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link