RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3671
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link