RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3671
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link