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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
54
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3671
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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