RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
66
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
66
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
1934
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link