RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
66
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
66
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1934
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link