RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
66
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
9.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
1934
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link