RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3023
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link