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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
42
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.3
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
18
Velocità di lettura, GB/s
9.7
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3778
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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