RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
9.7
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3717
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link