RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.6
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.7
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
9.7
25.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
20.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
4537
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link