RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
66
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
66
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
1877
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link