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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
66
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
66
读取速度,GB/s
9.7
15.9
写入速度,GB/s
6.0
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1877
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
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