RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
42
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
31
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2640
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link