RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
9.7
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2601
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link