RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2601
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link